民营相关成果以题为Three-DimensionalGrapheneField-EffectTransistorsasHighPerformancePhotodetectors的文章在线发表在Nano Letters上。企业权交(f) 2DGFET和3DGFET在中红外和THz区域的响应度对比。参参图53DGFET的高速光电响应。
(a)3DGFET在飞秒脉冲激光下时域响应,推进碳达碳排光电流经低噪声电流放大器(带宽1MHz)后由带宽为1GHz的示波器记录。峰碳放权(a)自卷曲前的平面二维(2D)GFET。
(e)自卷曲圈数分别为1圈(左上)、用能易2圈(右上)、3圈(左下)和5圈(右下)的3DGFET侧视图。
河北图43DGFET在中红外和太赫兹(THz)区域的光电特性。鼓励杭州亚运会开闭幕式官方纪录片《绽放》将于11月28日—12月2日在浙江卫视首播。
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